G-R雜訊的PSD
在隨機過程與電子雜訊分析中,G-R noise(generation-recombination noise,產生-復合雜訊)是一種由於半導體中載子(如電子或電洞)在能帶與陷阱能階(traps)之間隨機產生與復合,導致載流子總數波動所產生的雜訊。
以下使用維納-辛欽定理 (Wiener-Khinchin theorem),從自相關函數(autocorrelation function)推導出其功率譜密度(power spectral density, PSD)。
一. 數學推導過程
已知 G-R noise 的自相關函數可以被表示為[註1]:
其中:
$\langle |x|^2 \rangle$ 為波動的變異數(variance)。
$\tau$ 為載流子的平均壽命(Relaxation time / Lifetime)。
根據維納-辛欽定理,平穩隨機過程的功率譜密度 $S_x(f)$ 是其自相關函數 $R_x(s)$ 的傅立葉轉換:
將 $R_x(s)$ 代入上式:
由於 $e^{-|s|/\tau}$ 是偶函數,且利用歐拉公式,虛部積分會抵消,我們只需要考慮實部(餘弦轉換):
解此積分[註2]:
整理後可得到 G-R noise 的標準 PSD 公式:
二. PSD 的物理特性
G-R noise 的譜密度具有典型的 Lorentzian spectrum(勞倫茲譜) 特徵:
低頻區 ($f \ll 1/2\pi\tau$):
當頻率很低時,$2\pi f \tau \approx 0$,譜密度接近常數:
$$S_x(f) \approx 2 \langle |x|^2 \rangle \tau$$這部分表現得像「白雜訊」(White noise)。
轉折頻率 (corner frequency):
當 $f = 1/2\pi\tau$ 時,分母變為 2,能量下降至低頻值的一半(-3dB 點)。
高頻區 ($f \gg 1/2\pi\tau$):
當頻率很高時,$1$ 可以忽略不計,譜密度隨頻率的平方成反比:
$$S_x(f) \propto \frac{1}{f^2}$$這表示在高頻下,雜訊以每倍頻 6dB (或每十倍頻 20dB) 的速度衰減。
三. 總結
G-R noise 的 PSD 公式說明了雜訊能量如何隨頻率分布。其核心取決於載子壽命 $\tau$:壽命越長,低頻雜訊越強,但頻寬越窄;壽命越短,雜訊分布越廣但強度較低。這在分析半導體元件(如光電探測器或電晶體)的低頻特性時至關重要。
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[註1]:
https://rftamt2.blogspot.com/2026/01/langevin-equation.html
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[註2]:
關於證明,我們可以利用歐拉公式 $\cos(bs) = \text{Re}\{e^{jbs}\}$:
這個積分的結果:
將分母共軛化:
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